多孔陽(yáng)極氧化鋁板 合金氧化鋁板，花紋氧化鋁板，鋁卷，鋁箔，幕墻氧化鋁板，防銹氧化鋁板，拉絲氧化鋁板，鏡面氧化鋁板，彩涂氧化鋁板，氧化氧化鋁板，沖孔氧化鋁板，鋁帶等產(chǎn)品。 多孔陽(yáng)極氧化鋁板 緊靠金屬鋁表面是一層薄而致密的阻擋層，多孔層的膜胞為六邊緊密堆積排列 每個(gè)膜胞中心都有一個(gè)納米級(jí)的微孔，孔的大小比較均勻，且與鋁基體表面垂直 彼此平行排列 由于多孔陽(yáng)極氧化鋁板膜制備工藝簡(jiǎn)單孔的形貌和大小還可以隨電解條件不同在較大的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)控，此外其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特性和較好的熱穩(wěn)定性，使其成為一種理想的合成納米線，納米管等多種納米結(jié)構(gòu)材料的模板。如把間規(guī)苯乙烯利用毛細(xì)管作用直接注入不同孔徑的多孔陽(yáng)極氧化鋁板膜中制備了不同直徑大小的間規(guī)苯乙烯納米棒。1． 陽(yáng)極氧化鋁板的制備 目前多采用草酸，硫酸，磷酸為電解液，用硫酸制得的多孔氧化鋁板膜孔洞之間的距離最小約60nm,多孔陽(yáng)極氧化鋁板多孔陽(yáng)極氧化鋁板 多孔陽(yáng)極氧化鋁板 porouanodalumina,簡(jiǎn)稱PA A ,將高純鋁置于酸性電解液中在低溫下經(jīng)陽(yáng)極氧化而制得的具有自組織的高度有序納米孔陣列結(jié)構(gòu).由阻擋層和多孔層構(gòu)成。用草酸制得的孔洞間距一般是95nm左右 而用磷酸制得的孔洞間距最大約為 420nm而且孔洞間距隨電壓升高會(huì)有所增大，傳統(tǒng)方法中 陽(yáng)極氧化均在零度以上進(jìn)行 很多研究已表明在零度以上來(lái)改變溫度對(duì)多孔氧化鋁板的形貌沒(méi)有太大影響 1.1實(shí)驗(yàn)方法與步驟 1試樣預(yù)處理 將鋁片在溫度為 500攝氏度氮?dú)獗Ｗo(hù)下退火 5h以消除冷軋時(shí)氧化鋁板中產(chǎn)生的應(yīng)力和晶粒破損等缺陷。增大晶粒尺寸 把退火后的鋁片依次用去離子水乙醇 丙酮超聲清洗各 2min以除掉鋁片表面的有機(jī)污染物。將經(jīng)過(guò)上述處理的鋁片在常溫下用高氯酸乙醇混合溶液，進(jìn)行電化學(xué)拋光電壓為 60V時(shí)間為 10min2兩步陽(yáng)極氧化 分別在20和-10下進(jìn)行陽(yáng)極氧化第一步陽(yáng)極氧化是將預(yù)處理后的鋁片于溫度200.3M草酸水溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化，鉑電極作陰極，電壓為 40V氧化時(shí)間為 6~8h將第一步陽(yáng)極氧化后的樣品用去離子水沖洗干凈 置于 1.8%鉻酸 H2CrO4和 6%磷酸 H3PO4混合溶液中在60攝氏度下浸泡 10h以除去第一步氧化所形成的氧化膜將經(jīng)過(guò)上述處理后的樣品用去離子水洗凈，進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，氧化時(shí)間為 8h其余條件與第一次氧化時(shí)間相同另取一經(jīng)過(guò)預(yù)處理的鋁片在-10攝氏度 下采用0.3mol/L草酸的乙二醇與水的混合溶液，體積比 2︰3作電解液進(jìn)行兩步陽(yáng)極氧化。其余條件與前面相同 3剝離未氧化的鋁基片 用兩種方法剝離未氧化的鋁基，第一種是經(jīng)過(guò)兩步陽(yáng)極氧化的樣品上表面涂上一層指甲油，再將其置入 CuCl2與鹽酸的混合溶 液 中。

100mLHCl38%+100mLH2O+3.4gCuCl2+2H2O15下約 3h后，取出用去離子水沖洗。另一種是將經(jīng)過(guò)兩步陽(yáng)極氧化的樣品置于高壓釜中，加入 10mL乙醇在180下反應(yīng)約 20h將所獲得的多孔氧化鋁板膜取出用去離子水清洗多次。2.陽(yáng)極氧化鋁板的性質(zhì) 1孔徑均一 ,排列有序 ,孔密度高 ,可獲得其他樣模。法無(wú)法得到高質(zhì)量納米線陣列;2可采用不同的陽(yáng)極氧化和電沉積工藝條件來(lái)改變納米線的尺寸、結(jié)構(gòu) ,調(diào)節(jié)方式靈活簡(jiǎn)便;3電化學(xué)的常溫制備方法簡(jiǎn)單易行 ,可大大減少環(huán)境污染和生產(chǎn)成本 將金屬和半導(dǎo)體微粒電沉積到陽(yáng)極氧化鋁板模板上 ,制備出高度有序的一維金屬納米線陣列 ,使之賦予光、電、磁、催化等特性 ,可用于制備垂直高密度介質(zhì)、光學(xué)器件、功能電極、太陽(yáng)能選擇吸收膜等。3.多孔陽(yáng)極氧化鋁板模板的應(yīng)用 多孔陽(yáng)極氧化鋁板模板上制備出的不同直徑和長(zhǎng)度的納米管或納米線陣列;所制備的納米線有著光、電、磁、催化等特性 ,具有廣泛的用途及發(fā)展前景。陽(yáng)極氧化鋁板膜的功能化應(yīng)用最初作。為涂裝底膜 ,至上世紀(jì) 80年代 ,開(kāi)始利用氧化膜制備一些具有特殊性能的氧化物薄膜 ,如磁性薄膜、光學(xué)及光電子元件、選擇性吸收膜或作為某些反應(yīng)的催化劑載體。上世紀(jì) 90年代開(kāi)始采用以多孔陽(yáng)極氧化鋁板為模板向其中電沉積金屬或半導(dǎo)體材料 ,制備一維有序納米線陣列。3.1磁學(xué)方面 目前 ,已有不少科研工作者將鈷、鐵、鎳等鐵磁性物質(zhì)電沉積到AA O模板上柱狀孔內(nèi) ,制備出高度有序的納米線陣列。鈷納米線陣列具有較高的垂直磁各向異性 ,可作為高密度有序磁存儲(chǔ)介質(zhì) ,制造超高密度磁存儲(chǔ)器。鐵磁性納米線陣列的易磁化軸沿著納米線方向 ,垂直于樣品表面 ,納米磁性微粒的單疇特 性表現(xiàn)為矯頑力較大。由于納米線直徑很小 ,接近于磁性微粒的單疇尺寸 ,所以在納米線陣列中可獲得較大的矯頑力。對(duì)于長(zhǎng)徑比超過(guò)一定范圍的單根磁性金屬納米線 ,若只考慮形狀的各向異性 ,理想的單疇情況下 ,沿易磁化方向 ,磁滯回線應(yīng)為完全矩形[3]3.2光學(xué)方面 利用陽(yáng)極氧化膜的透光性、光吸收性、光各向異性 ,向其中電沉積 Cu和 Au等金屬微粒制備了納米粒子與 Al2O3組裝體系 ,對(duì)其光吸收測(cè)量表明 ,組裝體系光吸收帶邊隨金屬沉積量和尺寸而變化 ,從而實(shí)現(xiàn)了光吸收帶邊的調(diào)制 ,可應(yīng)用于不同波段的光濾器。此外 ,不同種類的金屬?gòu)?fù)合介質(zhì)膜層具有不同的介 電性質(zhì) ,對(duì)光的吸收具有不同的選擇性 ,使膜層具有一定的色調(diào)和對(duì)一定光波。